收藏本站
NTD18N06
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C ? 01
ISSUE O
? T ?
SEATING
PLANE
B
C
V
S
F
1
R
4
2
3
L
A
K
D
2 PL
J
H
E
U
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020 ???
0.035 0.050
0.155 ???
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
0.46 0.58
0.94 1.14
4.58 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
2.60 2.89
2.29 BSC
4.57 5.45
0.63 1.01
0.51 ???
0.89 1.27
3.93 ???
G
0.13 (0.005)
M
T
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
0.244
2.58
0.101
3.0
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6 .17 2
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
8
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD20N03L27-001 MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
NTD20N06-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20N06L-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20P06L-001 MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
NTD23N03R-1G MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
NTD24N06-001 MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
NTD24N06LG MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NTD25P03L1G MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
相关代理商/技术参数
NTD20 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD20N03L27 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 20 Amps， 30 Volts
NTD20N03L27-001 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27-1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTD20N03L27-1G 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27G 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET